Samsung MZ-V9S1T0, 1 TB, M.2, 7150 MB/s

Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung MZ-V9S1T0, 1 TB, M.2, 7150 MB/s

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Informazioni sul prodotto

Velocità spettacolare ogni giorno
Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti.

Energia per tutta la giornata
Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi.

Più spazio. Massima velocità.
Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all'area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB.

Software Samsung Magician
Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.

Diamo vita alle idee
Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.

Performance
Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.

Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.

Versatilità
Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia.

Solid state drive Samsung
Prodotto
Nome
Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
Categoria
Solid state drive
Marca
Samsung
Dimensioni e peso
Larghezza
80,2 mm
Profondità
2,38 mm
Altezza
22,1 mm
Peso
9 g
Condizioni ambientali
Intervallo temperatura di funzionamento
0 - 70 °C
Caratteristiche
Capacità SSD
1 TB
Dimensione SSD
M.2
Interfaccia
PCI Express 4.0
NVMe
Sì
Tipo memoria
V-NAND TLC
Componente per
PC
criptaggio hardware
Sì
Versione di NVMe
2.0
Algoritmi di sicurezza supportati
256-bit AES
Dimensioni dell'unità SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Velocità di lettura
7150 MB/s
Velocità di scrittura
6300 MB/s
Lettura casuale (4KB)
850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB)
1350000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Supporto S.M.A.R.T.
Sì
Supporto TRIM
Sì
Tempo medio tra guasti (MTBF)
1500000 h
NOTA: Le informazioni sopra riportate sono fornite esclusivamente per comodità e non possiamo garantirne l'accuratezza con il venditore.

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